Категорія: Транзистори з каналом типа P

2SJ168
Виробник: TOSHIBA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,2А; 200мВт; SC59
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
60.74
5+
44.25
25+
39.06
30+
34.6
81+
32.74
824 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 60.74 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
SISS61DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
120.8
10+
83.23
29+
36.16
78+
34.23
3000+
33.34
5708 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 120.8 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
ZXM64P02XTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
143.08
10+
90.21
25+
41.73
68+
39.43
4000+
38.91
948 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 143.08 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
NTR1P02T1G
Виробник: ONSEMI
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1А; 0,4Вт; SOT23
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
15.3
10+
13.07
50+
11.29
100+
10.4
182+
5.57
500+
5.27
2950 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 15.3 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
FDS4675
Виробник: ONSEMI
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
111.37
5+
87.62
10+
76.48
18+
57.92
49+
54.94
100+
53.46
174 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 111.37 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
80.12
5+
65.93
10+
55.76
25+
41.73
43+
24.21
116+
22.87
433 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 80.12 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
FDMC86139P
Виробник: ONSEMI
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 40Вт; WDFN8
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
167.06
10+
108.4
15+
71.28
40+
67.57
1000+
65.34
1202 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 167.06 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
ZXMP6A18KTC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10,4А; 4,3Вт; DPAK
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
103.58
2+
91.77
10+
60.37
15+
54.28
25+
48.34
33+
30.96
91+
29.25
1122 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 103.58 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
ZXMP6A17GQTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
50.56
10+
35.94
39+
26.58
106+
25.1
127 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 50.56 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
18.42
10+
13.17
50+
8.87
100+
7.48
252+
4.05
692+
3.83
6000+
3.78
9000+
3.7
614 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 18.42 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
SPP18P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
149.24
5+
112.86
10+
100.98
19+
54.94
51+
51.97
558 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 149.24 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
AOB411L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
103.95
5+
93.55
15+
68.31
42+
64.6
387 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 103.95 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
SI3483CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
79.6
10+
52.49
47+
22.05
127+
20.86
6000+
20.42
9000+
20.05
856 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 79.6 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -18,6А; Idm: -60А
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
103.5
10+
71.21
26+
39.72
71+
37.57
47 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 103.5 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
DMP4015SPS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
88.21
10+
55.32
40+
25.62
110+
24.21
1755 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 88.21 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
SIA441DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
67.27
10+
49.08
49+
20.86
135+
19.68
2581 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 67.27 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
IRFD9210PBF
Виробник: VISHAY
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -0,25А; 1Вт; DIP4
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
94.89
5+
79.15
10+
68.68
25+
52.87
35+
29.77
95+
28.14
500+
27.47
1000+
27.32
1725 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 94.89 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
SI2307-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -12А
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
29.92
10+
18.79
100+
12.1
149+
6.83
411+
6.46
2333 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 29.92 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
DMP4047SK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -18А; 1,6Вт; TO252
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
69.2
10+
41.88
61+
16.78
167+
15.89
7500+
15.52
1651 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 69.2 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
IXTQ52P10P
Виробник: IXYS
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO3P
Цінова політика
Кількість
Ціна
1+
608.11
3+
361.6
8+
342.29
123 шт. на віддаленому складі в Європі*
Кратність 1
Всього: 608.11 грн.
Ціна в грн. з ПДВ
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat