SIA441DJ-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SIA441DJ-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -40В
Струм стока -12А
Струм стоку в імпульсі -30А
Потужність розсіювання 19Вт
Корпус PowerPAK® SC70
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 65мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 35нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat