FDS4675 - Транзистори з каналом P SMD

FDS4675
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -40В
Струм стока -11А
Потужність розсіювання 2,4Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 21мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 56нКл
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat