YJQ4666B-YAN - Транзистори з каналом P SMD

YJQ4666B-YAN
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; польовий; -16В; -5,6А

Характеристики
Виробник YANGJIE TECHNOLOGY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -16В
Струм стока -5,6А
Потужність розсіювання 2,2Вт
Корпус DFN2020-6
Напруга затвор-джерело ±10В
Опір в стані провідності 60мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TRENCH POWER LV
Струм стоку в імпульсі -28А
Заряд затвора 7,2нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat