YJL03G10A-YAN - Транзистори з каналом N SMD

YJL03G10A-YAN
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3А; Idm: 121А; 1,2Вт; SOT23

Характеристики
Виробник YANGJIE TECHNOLOGY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока
Потужність розсіювання 1,2Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,14Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 4,3нКл
Струм стоку в імпульсі 121А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat