Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 56А; TO252
| Виробник |
YANGJIE TECHNOLOGY |
| Тип транзистора |
N-MOSFET |
| Технологія |
SPLIT GATE TRENCH |
| Поляризація |
польовий |
| Напруга сток-джерело |
60В |
| Струм стока |
56А |
| Струм стоку в імпульсі |
240А |
| Потужність розсіювання |
42,5Вт |
| Корпус |
TO252 |
| Напруга затвор-джерело |
±20В |
| Опір в стані провідності |
11мОм |
| Монтаж |
SMD |
| Заряд затвора |
31нКл |
| Вид упаковки |
cтрічка ролик |
| Вид каналу |
збагачений |