WMB099N10HGS-CYG - Транзистори з каналом N SMD

WMB099N10HGS-CYG
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96,1Вт

Характеристики
Виробник WAYON
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 43А
Струм стоку в імпульсі 272А
Потужність розсіювання 96,1Вт
Корпус PDFN5060-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 9,9мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 59нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat