WMB040N08HGS-CYG - Транзистори з каналом N SMD

WMB040N08HGS-CYG
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 130А; Idm: 520А; 122,5Вт

Характеристики
Виробник WAYON
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 80В
Струм стока 130А
Струм стоку в імпульсі 520А
Потужність розсіювання 122,5Вт
Корпус PDFN5060-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 78,5нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat