UCC27200DR - Драйвери MOSFET/IGBT

UCC27200DR
Опис

IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO8; 3А; Ch: 2; 8÷17ВDC

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія місток H
півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Корпус SO8
Вихідний струм
Кількість каналів 2
Напруга живлення 8...17В DC
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
UVLO (UnderVoltage LockOut)
Монтаж SMD
Робоча температура -40...140°C
Час наростання імпульсу 600нс
Час спадання імпульсу 600нс
Вид упаковки cтрічка
ролик
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat