TSM850N06CX-RFG - Транзистори з каналом N SMD

TSM850N06CX-RFG
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

Характеристики
Виробник TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 2,3А
Потужність розсіювання 0,3Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 85мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 9,5нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat