TSM650P03CX-RFG - Транзистори з каналом P SMD

TSM650P03CX-RFG
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23

Характеристики
Виробник TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -2,6А
Потужність розсіювання 1,56Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 65мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 8нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat