TSM2312CX-RFG - Транзистори з каналом N SMD

TSM2312CX-RFG
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

Характеристики
Виробник TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 4,9А
Потужність розсіювання 0,48Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 33мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 14нКл
Вид упаковки cтрічка
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat