TSM2312CX-RFG - Транзистори з каналом N SMD

TSM2312CX-RFG
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

Характеристики
Виробник TAIWAN SEMICONDUCTOR
Корпус SOT23
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
Поляризація польовий
Заряд затвора 14нКл
Опір в стані провідності 33мОм
Тип транзистора N-MOSFET
Струм стока 4,9А
Потужність розсіювання 0,48Вт
Напруга затвор-джерело ±8В
Напруга сток-джерело 20В
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat