TSM2306CX-RFG - Транзистори з каналом N SMD

TSM2306CX-RFG
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; 800мВт; SOT23

Характеристики
Виробник TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 3,5А
Потужність розсіювання 0,8Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 57мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 7нКл
Вид упаковки cтрічка
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat