SUM90N10-8M2P-E3 - Транзистори з каналом N SMD

SUM90N10-8M2P-E3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 90А; Idm: 240А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 90А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус D2PAK
TO263
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 17мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Струм стоку в імпульсі 240А
Заряд затвора 150нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat