SUM110P04-05-E3 - Транзистори з каналом P SMD

SUM110P04-05-E3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Струм стока -33А
Напруга сток-джерело -40В
Заряд затвора 280нКл
Опір в стані провідності 5мОм
Потужність розсіювання 375Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус D2PAK
TO263
Технологія TrenchFET®
Тип транзистора P-MOSFET
Монтаж SMD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat