SUM110N10-09-E3 - Транзистори з каналом N SMD

SUM110N10-09-E3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 87А; 375Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Монтаж SMD
Корпус D2PAK
TO263
Технологія TrenchFET®
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 110нКл
Опір в стані провідності 9,5мОм
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 87А
Потужність розсіювання 375Вт
Вид упаковки cтрічка
ролик
Тип транзистора N-MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat