SUD23N06-31-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SUD23N06-31-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 17,1А; 31,25Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 17,1А
Потужність розсіювання 31,25Вт
Корпус DPAK
TO252
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 45мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 17нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat