Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -8,8А; Idm: -15А
| Виробник |
VISHAY |
| Тип транзистора |
P-MOSFET |
| Поляризація |
польовий |
| Напруга сток-джерело |
-100В |
| Струм стока |
-8,8А |
| Струм стоку в імпульсі |
-15А |
| Потужність розсіювання |
32,1Вт |
| Корпус |
DPAK TO252 |
| Напруга затвор-джерело |
±20В |
| Опір в стані провідності |
0,195Ом |
| Монтаж |
SMD |
| Заряд затвора |
34,8нКл |
| Вид упаковки |
cтрічка ролик |
| Вид каналу |
збагачений |
| Технологія |
TrenchFET® |