STQ2HNK60ZR-AP - Транзистори з каналом N THT

STQ2HNK60ZR-AP
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А; 3Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 0,5А
Корпус TO92 Formed
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 4,8Ом
Монтаж THT
Вид упаковки Ammo Pack
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 11нКл
Струм стоку в імпульсі
Потужність розсіювання 3Вт
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat