STP315N10F7 - Транзистори з каналом N THT

STP315N10F7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія STripFET™ F7
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 120А
Струм стоку в імпульсі 720А
Потужність розсіювання 315Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 2,7мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 180нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat