STP310N10F7 - Транзистори з каналом N THT

STP310N10F7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; DeepGATE™; польовий; 100В; 120А; 315Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія DeepGATE™
STripFET™ VII
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 315Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 2,7мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat