STP26NM60N - Транзистори з каналом N THT

STP26NM60N
Опис

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія MDmesh™ ||
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 12,6А
Потужність розсіювання 140Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 135мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat