STP150N10F7 - Транзистори з каналом N THT

STP150N10F7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 117нКл
Опір в стані провідності 4,2мОм
Струм стока 110А
Потужність розсіювання 250Вт
Струм стоку в імпульсі 440А
Напруга сток-джерело 100В
Технологія STripFET™ F7
Корпус TO220-3
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat