STP120N4F6 - Транзистори з каналом N THT

STP120N4F6
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 40В; 80А; Idm: 320А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія STripFET™ H6
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 80А
Потужність розсіювання 110Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4,3мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 320А
Заряд затвора 65нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat