STP11NM60 - Транзистори з каналом N THT

STP11NM60
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 11А
Струм стоку в імпульсі 44А
Потужність розсіювання 160Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,45Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 30нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat