STN1HNK60 - Транзистори з каналом N SMD

STN1HNK60
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,4А; 3,3Вт; SOT223; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMesh™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 0,4А
Потужність розсіювання 3,3Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 8,5Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat