STD10N60M2 - Транзистори з каналом N SMD

STD10N60M2
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,9А; 85Вт; DPAK; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 4,9А
Потужність розсіювання 85Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 0,6Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія SuperMesh™
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat