SQM100P10-19L-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SQM100P10-19L-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -53А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус D2PAK
TO263
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 19мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 0,22мкКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat