SQ4153EY-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SQ4153EY-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -12В
Струм стока -14А
Потужність розсіювання 2,3Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 8,32мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 151нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat