SQ2364EES-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SQ2364EES-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 1,3А
Потужність розсіювання 1Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 245мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Заряд затвора 2нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat