SQ1470AEH-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SQ1470AEH-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 1,7А
Потужність розсіювання 3,3Вт
Корпус SC70-6
SOT363
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 0,115Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 6,7А
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 5,2нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat