SPD30P06PGBTMA1 - Транзистори з каналом P SMD

SPD30P06PGBTMA1
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -30А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 75мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія SIPMOS™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat