SPB80P06PGATMA1 - Транзистори з каналом P SMD

SPB80P06PGATMA1
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія SIPMOS™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -80А
Потужність розсіювання 340Вт
Корпус PG-TO263-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 23мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat