SIUD401ED-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SIUD401ED-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -0,5А; Idm: -1А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -0,5А
Струм стоку в імпульсі -1А
Потужність розсіювання 1,25Вт
Корпус PowerPAK® 0806-3
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 3,5Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 2нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat