SISS80DN-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SISS80DN-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 169А; Idm: 300А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 169А
Потужність розсіювання 42Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело -8...12В
Опір в стані провідності 3мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 122нКл
Струм стоку в імпульсі 300А
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat