SIS892ADN-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIS892ADN-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 28А; 52Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 28А
Потужність розсіювання 52Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 47мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 6,1нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat