SIS412DN-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIS412DN-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 12А
Потужність розсіювання 10Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 24мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 12нКл
Струм стоку в імпульсі 30А
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat