SIRC16DP-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIRC16DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET + Schottky
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 25В
Струм стока 60А
Потужність розсіювання 34,7Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело -16...20В
Опір в стані провідності 1,4мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 250А
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 105нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat