SIRA52ADP-T1-RE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIRA52ADP-T1-RE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 105А; Idm: 200А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 105А
Струм стоку в імпульсі 200А
Потужність розсіювання 30,7Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело -16...20В
Опір в стані провідності 2,3мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 0,1мкКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat