SIRA06DP-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIRA06DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 40А
Потужність розсіювання 40Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело -16...20В
Опір в стані провідності 3,5мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 77нКл
Струм стоку в імпульсі 80А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat