SIR626LDP-T1-RE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIR626LDP-T1-RE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 186А; Idm: 400А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 186А
Струм стоку в імпульсі 400А
Потужність розсіювання 104Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 2,1мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 135нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat