SIR422DP-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIR422DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 40А
Потужність розсіювання 22,2Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 6,6мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 70А
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 48нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat