SIR186LDP-T1-RE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIR186LDP-T1-RE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 80,3А; Idm: 150А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 80,3А
Потужність розсіювання 57Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 6,3мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 48нКл
Струм стоку в імпульсі 150А
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat