SIHD14N60E-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIHD14N60E-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока
Потужність розсіювання 147Вт
Корпус DPAK
TO252
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 309мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 32А
Заряд затвора 64нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat