SIHB22N60E-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIHB22N60E-GE3
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W

Характеристики
Виробник VISHAY
Корпус D2PAK
TO263
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 86нКл
Опір в стані провідності 0,18Ом
Струм стока 21А
Напруга затвор-джерело ±30В
Струм стоку в імпульсі 56А
Потужність розсіювання 227Вт
Напруга сток-джерело 600В
Поляризація польовий
Вид упаковки cтрічка
ролик
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat