SIHB100N60E-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIHB100N60E-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 19А
Струм стоку в імпульсі 73А
Потужність розсіювання 208Вт
Корпус D2PAK
TO263
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,1Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 50нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat