SIA517DJ-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SIA517DJ-T1-GE3
Опис

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N/P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 12/-12В
Струм стока 4,5/-4,5А
Потужність розсіювання 6,5Вт
Корпус PowerPAK® SC70
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 170/65мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 20/15нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat