SI9926CDY-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI9926CDY-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 6,7А
Струм стоку в імпульсі 30А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 22мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 33нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat