SI7461DP-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI7461DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,6А; Idm: -60А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -8,6А
Струм стоку в імпульсі -60А
Потужність розсіювання 1,2Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 14,5мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 0,19мкКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat