SI4936CDY-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI4936CDY-T1-GE3
Опис

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 4,6А
Потужність розсіювання 1,5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 50мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 9нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 20А
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat